美光最终拥有了自己的高性能NVMe固态硬盘。美光自己的英瑞达品牌长期依赖传统的SATA接口产品。继P1/P2之后，两款QLC闪存进入NVMe磁盘，定位高端的P5正式亮相，提供3400/3000 MB/s的顺序读写性能。

从性能指数来看，P5在今天的高端NVMe固态硬盘中没有什么特别之处。虽然它提到完全硬件加密，但它不提供TCG澳普或IEEE1667支持。从250GB到2TB容量的标称写入耐久性指数为150TBW到1200TBW，保修期为5年。

和过去一样，美光没有披露英瑞达P5使用的主控制器和闪存的类型，这带来了很多想象。然而，从有限的图片和数据，编辑可以猜测一二。在下图中，通过边缘可以看到主控件的音量。根据美光的传统，边肖认为主控能量是容晖或马维尔88SS1092/1093中的一种。由于在主控制表面上看不到容晖常见的金属涂层，因此更有可能使用Marvell。此外，闪存照片中DRAM缓存下的方形芯片不包括在容晖的公共版本计划中，这增加了使用非容晖主机的可能性。

P5使用的闪存号码可以在官方网站的照片中看到：NW969，这是一个FBGA代码。

根据美光的FBGA和部件标记解码器系统，可以发现其相应的零件号为MT29F4T08EQLCEG8-R:C。当一些媒体看到“QLC”的三个字母时，打开了他们的大脑，说这是QLC闪存，这是完全错误的！

事实上，美光的官方网站上有“与非”闪存的部件号的含义。尽管它相对较旧(最新版本是2016年)，但它仍然可以从中找到很多信息。MT29F代表美光的与非门闪存，4T代表4096Gb(512GB，表明照片中的P5是1TB版本，如果放在一边)，08代表8位宽。

重点是：08之后的字母e代表MLC-3，它是TLC闪存。这位英瑞达P2闪存颗粒使用的QLC是g，这是MLC-4(QLC闪存)没有发现在2016年版本的表。

零件号中的三个字母QLC代表什么？另外，“q”代表8芯片封装(单芯片512Gb)，4CE；“L”代表Vcc电压3.3V和Vccq电压3.3/1.8V；“c”代表第三组设备功能。数字中的QLC组合只是一个巧合。事实上，只要你动动脑筋，TLC闪存并不能反映出“TLC”这个词的数量。

以上是PCEVA对英瑞达P5主控和闪存的分析和推测，具体结果还有待于产品实际拆卸照片出来后才能确定。