在2019年之前，中国在NAND闪存市场的份额是0，没有容量，也没有技术。长江存储在去年9月捕获了64层3D闪存，但比三星、东芝和其他公司落后两代。

今天上午，长江存储宣布了一个重大消息：——128层QLC 3D与非门闪存(型号：X2-6070)已成功开发，并已通过多家控制器制造商的固态硬盘等终端存储产品的验证。

在长江蓄水之前，它说它将跳过96层，在64层之后直接进入128层。现在它不仅实现了之前的目标同时128层的QLC闪存X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量三个第一。

与32层32Gb和64层256Gb闪存相比，存储在长江流域的X2 6070闪存有了很大的提高，但与国际水平相比又如何呢？

根据技术人员的3D闪存路线图和制造商的数据，三星的110层(128和136个不同级别)3D闪存核心容量可以达到QLC 1Tb，美光的128层，SK Hynix的128层，英特尔的144层QLC闪存也是1Tb的核心容量，东芝/西方的112层BiCS 5技术闪存堆栈可以达到QLC 1.33Tb的容量，这是有史以来最高的。

就容量而言，长江存储的X2-6070 QLC闪存与东芝/西数同级，比其他家的要高出33%。

除了容量，它还取决于性能。X2-6070的输入输出速度是1600兆位/秒，这是其Xtacking架构的优势。其速度可与DDR存储器媲美，而三星的128层闪存速度为1200兆位/秒，而west和东芝的速度为1200兆位/秒。其他国家的io速度没有确切的数据，估计约为1200Mbps。

So在IO性能上，长江存储的X2-6070闪存也是第一，这点比其他厂商是要领先的。

还有单位面积的存储密度，除了其他制造商到目前为止还没有发布具体的核心区域数据，长江存储也是如此。没有公共数据比较，但从单颗容量来看长江存储还是有底气的。

总之，从技术指标来看，长江存储的X2-6070闪存是国内第一个进入第一梯队的闪存，同时在容量、密度和性能上处于领先地位，意义重大。

但话说回来，存储在长江的X2-6070闪存还没有大规模生产，但刚刚完成技术研发，而三星、东芝、美光等公司今年会量产128层级别的3D闪存，在生产进度及产能上依然是领先的，这才是最关键的。

对长江仓储而言，当前的首要任务仍然是能力建设。今年早些时候，长江存储科技有限公司副董事长杨道虹表示，他们开发的64层闪存已于去年批量生产，将尽快实现每月10万件64层3D闪存产品的产能，并如期实现每月30万件的产能。

到今年年底，长江仓储的月产量将达到6万片，比去年增加8-10倍。然而，与全球每月约130万片闪存芯片产量相比，今年国内闪存芯片产量仅占3%，这并不能改变整体状况。

据行业分析师称，长江存储真正能够参与全球闪存市场竞争，并且对市场生产一定影响要到2021年，也就是至少一年半之后，国产闪存才有跟三星东芝等6大闪存原厂较劲的资格。